Die Module kombinieren PERC-Technologie, MBB und Halbzellentechnologie. Das Higon P-Typ-Halbzellenmodul erreicht eine Ausgangsleistung von bis zu 570 W.P-Typ-Materialien bergen kein LID/LeTID-Risiko und ermöglichen so zuverlässigere Module, eine höhere Bifacility-Fähigkeit, einen höheren Wirkungsgrad, einen niedrigeren Temperaturkoeffizienten und eine längere Lebensdauer.
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